Deutsch

Deutsch

hohe Genauigkeit und zuverlässige Dünnschichtprodukte


ECRIM hat eine integrierte Dünnschicht-Hybridschaltung durch die nationale Produktionslinie der Armee es hat auch die Welt fortschrittliche Magnetron-Sputterfilmformungsausrüstung, hochpräzise Laserwiderstandsmaschine, Lithographiemaschine, Plasmaätzmaschine, Golddrahtkugelschweißmaschine und so weiter Basierend auf dem Dünnschichtverfahren entwirft und entwickelt es Dünnschichtverfahren und hybride integrierte Signalverarbeitungsschaltungen in den letzten 40 Jahren ECRIM hat eine große Anzahl von hochpräzisen entwickelt und hochwertige Dünnschichttechnologie und Schaltungsprodukte zur Unterstützung nationaler Schlüsselentwicklungsprojekte Hauptprodukte sind verschiedene Dünnschicht-Widerstandsnetzwerke, Mikrowellensubstrate, Präzisionssignalverarbeitungsschaltungen, integrierte Hybridschaltungen mit hoher Dichte und so weiter




Dünnschicht-Prozessprodukt
  • Präzision Dünnschicht Widerstand: Genauigkeit: ± 0.1 % ~ ± 0.02 %
  • Temperaturkoeffizient: ≤ ± 25 ppm / ℃
  • Dünnschichtkeramik Metallisierung und Mikrowellensubstrat:
  • Grundmaterial: Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Quarz etc
  • Präzision: Liniengenauigkeit ± 2,5 μm, minimale Linienbreite und Mindestabstand 20 μm
  • Frequenzbereich: DC ~ 110G
Dünnschicht-Dämpfungsglied: Hochfrequenz bis 26 GHz, niedrige stehende Welle, hohe Dämpfungsgenauigkeit
hybride integrierte Signalschaltung


Sensorservo Schaltung: Vorverstärker, Temperaturwandler, Ladungsverstärker, Mems-Beschleunigungsmesser und Mems-Gyroskop


  • Isolationstyp Schaltung: Signalisolation oder Stromversorgungsisolation, Isolationsverstärker
  • Präzisionsreferenz Quelle: kleine Spannung, Stromreferenz, die I / F
  • fotoelektrische Schaltung: hybride integrierte fotoelektrische Lichtwellenleiterumwandlung, Übertragungsmodul
  • Mikrowellenschaltung: P / L / C / S / X-Band Kanäle, mittlerer und niedriger Leistungsverstärker
  • benutzerdefinierte Schaltung: alle Arten von hochpräzisen Signalumwandlung, Ansteuerschaltung, eine dedizierte Schaltungsminiaturisierung
Die Die Produktqualität erfüllt die Anforderungen an die Qualitätsbewertung und Zuverlässigkeitsbewertung gemäß GJB2438A-2002, und die höchste Qualitätsstufe erreicht die Luft- und Raumfahrtqualität (K )
dünner Film
Modell Parameter 3 Parameter 2 Parameter 1 Herunterladen
Power heat sink Material: AlN/BeO Accuracy: line width/line spacing accuracy ±5um Metalization: Ti, Cu, Ni, Pt, Au, prefabricated AuSn film, etc
Chip components Precision : ±0.1% -- ±0.02% Passivation layer structure : SiO2+Si3N4、SiO2 Resistance range : 10Ω—1MΩ
Highly reliable subs Material: Al2O3/AlN. Accuracy: line width/line spacing accuracy ±5um Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, thin film resistors, prefabricated AuSn films, etc
Coaxial attenuator Frequency :DC -18000 Attenuation: 0.7-1.3 Max standing wave ratio :1.3
Thin film attenuator Applicable frequency : DC~ 18GHz Power : 1W Standing wave : ≤ 1.2
Microwave substrate Material: Al2O3. Accuracy: line width/line spacing accuracy ±2.5um. Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, TaN resistors, prefabricated AuSn films, etc.
Thin film Substrate Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, TaN resistance, prefabricated AuSn film, etc Accuracy: line width/line spacing accuracy ±2.5um. Material: AlN/Al2O3/multilayer AlN-HTCC/quartz
eine Nachricht schicken
eine Nachricht schicken
Wenn du sind an unseren Produkten interessiert und möchten mehr Details erfahren, bitte hinterlassen Sie hier eine Nachricht, wir werden Ihnen antworten sobald wir können.

Zuhause

Produkte

Über

Kontakt