1. Eigenschaften
| 75V Volt der Motorstromversorgung |  |
| 10A Ausgangsstromwandler Fähigkeit ， alle n Kanal MOS-FET Typ der Ausgangsbrücke | |
| 100 % tot hoch Übertragungskapazität | |
| geeignet für Gleichstrom bis 100KHz ac PWM | |
| kurz runter / kreuz Schutz führen | |
| Schutz gegen Unterspannung Aussperrung | |
| Steuerung für programmierbar Totzeit | |
| Steuerung für aktive Abschaltung durch niedriges Niveau | |
| Das isolierte Gehäusedesign bietet Hochspannungsisolation und hervorragende Wärmeübertragungsleistung | |
| Arbeiten für optional drei Fuß Biegen |
2. Anwendungen von HMSK4300 Isolation des Rechteckantriebs
Dreiphasig bürstenlos DC ； Servo Regler ； Dreiphasig bürstenlos AC ； Kühlung Lamellenaktuator Steuerung ； Induktion Motorsteuerung ； Luft Konditionierung der Lüftergeschwindigkeit3. Beschreibung von HMSK4300 Isolation des Rechteckantriebs
HMSK4300 ist eine dreiphasige Brücke mit ein Tor, versiegelt Durch das Metallgehäuse kann für 10A ausgegeben werden, die maximale Spannungsversorgung kann bis zu V Die Signalspannung hat Unterspannung Sperrschutz, Querleitung Steuerung, vom Benutzer programmierbar Totzeitregelung und Kurzschlussbegrenzung Darüber hinaus kann der Brückenausgang durch Verwendung einer niedrigen Abschaltung gesteuert werden aufgrund der Isolationstechnologie von HMSK4300 Paket kann es den internen MOSFET machen hat eine bessere Wärmeübertragungsleistung und ermöglicht den direkten Kontakt mit das Gerät und der Lamellenantrieb ohne ein isolierendes MaterialThis Produktreihen bestehen aus einem integrierten Dickschicht-Hybridverfahren, metallversiegelt Produktdesign und -herstellung erfüllen die Anforderungen von MIL-STD und detaillierte Spezifikationen, die Qualitätsstufe ist H-Klasse.
4. Technische Daten von HMSK4300 Isolation des Rechteckantriebs
Tabelle 2 elektrische KennlinieParameter | Testbedingung | a group④ | MSK4300H③ | MSK4300② | Einheit | |||||||||||||||
Kontrollwahl | Mindest | typisch | max | Mindest | typisch | max | ||||||||||||||
statischer Vorspannungsstrom | Schalten Sie alle Eingänge aus | 1,2,3 | 2.5 | 8 | 2.5 | 8 | ma | |||||||||||||
Arbeitsstrom | Frequenz = 20 kHz, 50 Tastverhältnis | 1,2,3 | 12.5 | 15 | 12.5 | 15 | ma | |||||||||||||
Unterspannung Schwelle Wert (Rückgang) | 1 | 5.75 | 6.6 | 7.5 | 5.75 | 6.6 | 7.5 | v | ||||||||||||
Unterspannung Schwellwert (Anstieg) | 1 | 6.2 | 7.1 | 8 | 6.2 | 7.1 | 8 | v | ||||||||||||
niedriger Eingang Spannung① | - | - | - | 0,8 | - | - | 0,8 | v | ||||||||||||
High Level Eingang Spannung① | - | 2.7 | - | - | 2.7 | - | - | v | ||||||||||||
Eingang mit niedrigem Pegel current① | VIN = 0V | - | 60 | 100 | 135 | 60 | 100 | 135 | Mikroampere | |||||||||||
High-Level-Eingang current① | VIN = 5V | - | -1 | - | +1 | -1 | - | +1 | Mikroampere | |||||||||||
Ausgangsbrücke | ||||||||||||||||||||
Drain-Quelle Die Spannung unterbrechen | ID = 25μA, schalten Sie alle Eingänge aus | - | 70 | - | - | 70 | - | - | v | |||||||||||
Drain-Quelle Leckage aktuell | VDS = 70V | - | - | - | 25 | - | - | 25 | Mikroampere | |||||||||||
Drain-Sourceturn-On Widerstand （jeweils FET） | ID = 10A | 1 | - | - | 0,3 | - | - | 0,3 | Ohm | |||||||||||
Drain-Sourceturn-On Widerstand （FET ， nur forthermal Berechnung）） | - | - | - | 0,16 | - | - | 0,16 | Ohm | ||||||||||||
Schaltcharakteristik | ||||||||||||||||||||
Anstiegszeit | V + = 30 V, RL = 3 Ω | - | 5 | - | - | 5 | - | Nanosekunde | ||||||||||||
Zeit abnehmen | ID = 10A | - | - | - | - | 6 | - | Nanosekunde | ||||||||||||
Leitung Verzögerung （nach unten） | SWR Widerstand = ∞ | 4 | - | 0,5 | 2 | - | 0,5 | 3 | Mikrosekunde | |||||||||||
abschalten verzögern （runter） | SWR Widerstand = ∞ | 4 | - | 5 | 8 | - | 5 | 10 | Mikrosekunde | |||||||||||
Leitung Verzögerung （auf） | SWR Widerstand = ∞ | 4 | - | 5 | 8 | - | 5 | 10 | Mikrosekunde | |||||||||||
ausschalten verzögern （auf） | SWR Widerstand = ∞ | 4 | - | 0,5 | 2 | - | 0,5 | 3 | Mikrosekunde | |||||||||||
Todeszeit | SWR Widerstand = ∞ | 4 | 6 | 7 | 8 | 6 | 7 | 8 | Mikrosekunde | |||||||||||
Todeszeit | SWR Widerstand 12K | 4 | 0,3 | 0,5 | 0,7 | 0,3 | 0,5 | 0,7 | Mikrosekunde | |||||||||||
Quelle –Drain Diodeneigenschaften | ||||||||||||||||||||
vorwärts Spannung① | ISD = 10A | - | - | 1,05 | 1,25 | - | 1,05 | 1,25 | v | |||||||||||
Reverse Recovery Zeit① | ISD = 10A, di / dt = 100A / μS | - | - | 75 | - | - | 75 | - | Nanosekunde | |||||||||||
5. Stiftbezeichnungen von HMSK4300 Isolation des Rechteckantriebs
Tabelle 3 StiftbezeichnungenStift | Symbol | Bezeichnung | Stift | Symbol | Bezeichnung |
1 | BH ′ | b Kanal High-Level-Logiksignaleingang | 6 | VBIAS | Stromversorgung für Gate-Antrieb |
2 | BL | b Kanal Low-Level-Logiksignaleingang | 7 | EN ′ | Arbeitsfreigabe für System |
3 | al | ein Kanal-Low-Level-Logiksignaleingang | 8 | cl | c-Kanal-Logiksignaleingang mit niedrigem Pegel |
4 | AH ′ | ein Kanal-High-Level-Logiksignaleingang | 9 | CH ′ | c-Kanal-Logiksignaleingang mit hohem Pegel |
5 | SWR ′ | Totzeitkontrolle | 10 | GND | GND |
11 | CΦ | Dreiphasig Bridge-C-Kanal-Ausgang | 12 | RSENSE | Macht GND |
13 | RSENSE | Macht GND | 14 | AΦ | Dreiphasig Überbrücken Sie einen Kanalausgang |
15 | V + | + 28V | 16 | V + | Verbinden Sie + 28V |
17 | BΦ | Dreiphasig Kanalausgang der Brücke b | 18 | nc | aussetzen |
6. Schaltplan von HMSK4300 Isolation des Rechteckantriebs
Der Pulsweitenmodulationsverstärker enthält eine Signalverarbeitung Schaltung 、 Halbbrücke Treiberschaltung und Leistungsverstärker
Abbildung 2 Einkanal-Arbeitsblockdiagramm
Ein Dreieckswellensignal wird durch ein Eingangssteuersignal und eine Rechteckwellengeneratorschaltung erzeugt. Die Wirkung des Dreieckswellensignals und des festen Pegels kann ein breitenmoduliertes Rechtecksignal erzeugen Die Ansteuerschaltung kann eine Isolation und Verteilung für das Frontbreiten-modulierte Rechtecksignal vornehmen und dann die Leistungsröhren ansteuern, um einen Leistungsverstärker und eine Ansteuerlast für den Gleichstrommotor herzustellen
7. typischer Anschlussplan von HMSK4300 Isolation des Rechteckantriebs
Abbildung 3 HMSK4300 Schaltplan
8. Paketspezifikationen von HMSK4300 Isolation des Rechteckantriebs
Abbildung 5 Paketumrisszeichnung
Anwendungshinweise entnehmen Sie bitte dem Anhang, müssen Sie ihn sorgfältig lesen
