ECRI Microelectronics

Dünner Film

Dünner Film

Hohe Genauigkeit und zuverlässige Dünnschichtprodukte

ECRIM verfügt über einen integrierten Dünnschicht-Hybridschaltkreis durch die Standardproduktionslinie der nationalen Armee. Es hat auch die Welt hochmoderne Magnetron-Sputter-Film-Bildung Ausrüstung, hochpräzise Laser-Widerstand-Maschine, Lithographie-Maschine, Plasma-Ätzmaschine, Gold-Draht-Kugel-Schweißgerät und so weiter. Basierend auf dem Dünnschichtprozess entwickelt und entwickelt das Unternehmen Dünnschicht-Prozessprodukte und hybride integrierte Signalverarbeitungsschaltungen. In den vergangenen 40 Jahren hat ECRIM eine Vielzahl von hochpräzisen und hochwertigen Dünnschicht-Technologie- und Schaltkreisprodukten zur Unterstützung nationaler Schlüsselprojekte entwickelt. Hauptprodukte sind verschiedene Dünnschicht-Widerstandsnetzwerk, Mikrowellensubstrat, Präzisionssignalverarbeitungsschaltung, hybride integrierte Schaltung der hohen Dichte und so weiter.

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Dünnschichtprozeßprodukt
  • Präzisions-Dünnfilm-Widerstand: Genauigkeit: ± 0,1% ~ ± 0,02%
  • Temperaturkoeffizient: ≤ ± 25 ppm / ℃
  • Dünnfilm-Keramik-Metallisierung und Mikrowellen-Substrat:
  • Grundmaterial: Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Quarz usw
  • Präzision: Liniengenauigkeit ± 2.5μm, minimale Linienbreite und Abstand 20μm
  • Frequenzbereich: DC ~ 110G
Dünnschichtabschwächer: Hochfrequenz bis 26GHz, niedrige stehende Welle, hohe Dämpfungsgenauigkeit
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hybrid-integrated-signal-circuit-3hybrid-integrated-signal-circuit-4

Hybrid integrierte Signalschaltung

hybrid-integrated-signal-circuit-5

Sensor-Servo-Schaltung: Vorverstärker, Temperaturwandler, Ladungsverstärker, MEMS-Beschleunigungssensor und MEMS-Gyroskop.

  • Isolationstyp-Schaltung: Signalisolierung oder Isolation der Spannungsversorgung, Trennverstärker
  • Präzisionsreferenzquelle: kleine Spannung, Stromreferenz, die I / F
  • Photoelektrische Schaltung: hybride integrierte optische Faser photoelektrische Umwandlung, Übertragungsmodul
  • Mikrowellenschaltung: P / L / C / S / X-Band-Kanäle, Mittel- und Niederleistungsverstärker
  • Custom-Schaltung: alle Arten von hochpräzisen Signalumwandlung, Treiberschaltung, eine dedizierte Schaltung Miniaturisierung
Die Produktqualität erfüllt die Anforderungen an die Qualitäts- und Zuverlässigkeitsbewertung gemäß GJB2438A-2002 und die höchste Qualitätsstufe erreicht die Luft- und Raumfahrtklasse (K-Klasse).

Mikrowellenkomponenten, Schaltungsprodukte und Miniaturisierungstechnologie

--------- ECRIM
Der ECRIM-Geschäftsbereich basiert auf Dünnschichttechnologie und entwickelt und entwickelt hauptsächlich hochleistungsfähige passive Filmkomponenten, einschließlich Mikrostreifenfilter, Leistungsteiler, Abschwächer, Mikrowellensubstrat usw .; Aktive Module gehören L, S, C, X-Band-Hybrid-integrierten rauscharmen Verstärker, Mischer, Oszillator, Leistungsverstärker, Radio-Frequenz-Kanal, LC-Filter, Oberwellengenerator und andere Produkte. Wir passen auch Komponenten und Komponenten für Kunden an. Produkte sind weit verbreitet in der drahtlosen Kommunikation, Navigation, Radar und anderen Luft- und Raumfahrt-, Luftfahrt-, Boden-Systeme. Es hat eine Produktionslinie von 250.000 Quadrat-Zoll-Mikrowellen-Substraten und 30.000 High-End-Hybrid-IC-Dünnschichten.

Die Dünnschichttechnologie hat aufgrund ihres hochpräzisen Herstellungsprozesses und ihrer hochstabilen Mikrowelleneigenschaften offensichtliche Vorteile gegenüber PCB und anderen Prozessen im Bereich der Radiofrequenz. Es hat feine Linien, hohe Integration und gute Wärmeableitung. Es kann Schaltkreise mit hoher Leistungsdichte insbesondere in Flugzeugen, Projektilen, Satelliten und einigen High-End-Hochfrequenzsystemen erzeugen. Seine Eigenschaften von kleiner Größe, geringes Gewicht und hohe Zuverlässigkeit sind prominenter.

1. Dünnschichttechnologie und Produkte
Dünnschicht-Technologie-Produkte zeichnen sich durch hohe Präzision, hohe Dichte, hohe Frequenz und hohe Zuverlässigkeit, die in den Bereichen der Hybrid-integrierte Schaltung Interconnect Substrat, Mikrowellengeräte, photoelektrische Kommunikation, Sensor, MCM, LED und so weiter verbreitet sind. Typische Produkte umfassen Mikrowellensubstrat, Mikrostreifenfilter, Abschwächer, Dünnfilmpräzisionswiderstand (Netzwerk) usw.
fig-1-typical-thin-film-circuit-structure

1.1din Film Mikrowellensubstrat
  • Überblick
Das Hauptmatrixmaterial des Filmmikrowellensubstrats ist Aluminiumoxidkeramik. Wir können Kunden maßgeschneiderte Dienstleistungen bieten, wie Aluminiumnitrid-Basis und Quarz-Basis Mikrowelle Basisplatte Verarbeitung.
  • Prozessbeschreibung

Film system

Typical floor resistance

50-75-100Ω/□

Typical thickness of transition layer

1000~3000Å

Surface metal thickness

3~8μm

Lithography

Resolution ratio

0.8μm

Registration accuracy

±1μm

Double exposure, thick adhesive exposure

Scribing

Minimum cut size

0.5mm×0.5mm

Dimensional accuracy

±50μm

Unit alignment accuracy

±5μm

Process capability

The 2″×2″ substrate can produce 800 pieces/week



Produkt Aussehen

thin-film-microwave-substrate-product-appearancethin-film-microwave-substrate-product-appearance-1

1.2 Dünnschichtpräzisionswiderstand und Netzwerk
  • Überblick
Präzisions-Dünnschichtwiderstand (Widerstandsnetzwerk) ist ein Chip-Dünnschichtwiderstand (Widerstandsnetzwerk) mit hoher Widerstandswert-Tracking-Genauigkeit und geringem Volumen. Es hat die Vorteile einer hohen Widerstandswertpräzision, eines niedrigen Widerstandstemperaturkoeffizienten, eines geringen Rauschens und einer guten Langzeitstabilität. Es ist geeignet für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Luftfahrt und Implantation von humanmedizinischen Geräten. Die präzision kann bis zu 0,01%, die temperatur tracking koeffizient bis zu 0,02%, und willkürliche widerstände werte kann angepasst werden nach kundenwunsch, und die verpackung kann in form von chip tisch aufkleber, keramik paket, paket paket, etc. .
  • Technische Spezifikation des Widerstands- und Widerstandsnetzwerks




precision resistance

Resistance materials

Nickel chrome

Temperature coefficient TCR(ppm/℃):±25--±5

Tantalum nitride

Temperature coefficient TCR(ppm/℃):-100---50

Substrate materials

glass ceramics/silicon slice/aluminum oxide/aluminum nitride

Accuracy

±0.1% --  ±0.02%

Passivation layer structure

SiO2+Si3N4、SiO2

Size

0404、0603、0805、1206

Resistance range

10Ω—1MΩ

Power

25 mW–100 mW

Operating temperature range

-65℃--125℃


Precision resistance network

Accuracy

±0.1% --  ±0.02%

Relative accuracy

±0.02%

Temperature tracking coefficient accuracy

±0.02%--±0.05%

Size

Design according to the detailed drawing

Packaging form

We can use the chip table sticker, ceramic package and packaging as the customers demand.

Temperature coefficient

±10ppm

Operating temperature range

-65℃--125℃

Antistatic capacity

1500V-2000V



Aussehen des Produkts

thin-film-precision-resistance-and-network-product-appearance


1.3 Kapazität des Dünnfilmchips
  • Überblick
Dünnschicht-Chip-Kondensatoren eignen sich für HF-, Mikrowellen- und Millimeterwellen-Anwendungen. Geeignete Frequenz: 100MHz ~ 100GHz, Kapazität: 50-4300pf. Pt / Au-Beschichtung, zum Schweißen geeignet.
Die wichtigsten technischen Indizes
Tabelle 2 Haupttechnologieindexe

Size:W×L

10×10mils to 90×90mils

(0.25×0.25mm to 2.25×2.25mm)

thickness:t

6mils±1mil&10mils±1mil

(0.150mm±0.025mm&0.250mm±0.025mm)

Electrode

Ti/Pt/Au  Ti/Ni/Au

The rated voltage (RWV)

50V for t=6mils(0.150mm)

100V for t=10mils(0.250mm)

Capacitance

50pF to 1000pF(nominal@+25℃ & 1kHz)

Capacity tolerance

M=±20%

Z=-20%/+80%

V=-0%/+100%

Loss Coefficient(DF)

<2.5%(@+25℃ & 1kHz)

Insulation resistance(IR)

>1010Ω

Dielectricbreakdown voltage(DWV)

RWV×2.5(minimum DWV @+25℃)


Typische Produkterscheinungszeichnung

typical-product-appearance-drawing

1.4Dünnfilm-Abschwächer
  • Überblick
Der Filmminderer hat niedrige parasitäre Parameter und eine hohe Verwendungsfrequenz von bis zu 18 GHz. Feuchtigkeitsresistenter, selbstpassivierender Schutzfilm; Geeignet zum Verkleben von Golddraht. Weit verbreitet in Radiofrequenz-Mikrowellen-Millimeterwellen-Kommunikation, optische Kommunikation und anderen Bereichen.

Gegenwärtig haben wir 6 Serien von Dämpfungsblechen mit über 100 Sorten entwickelt. Das Folgende ist ein Beispiel für AT150504-X Attenuator:
  • Die wichtigsten technischen Indizes
Tabelle 3 wichtigste technische Indikatoren

applicable frequency

characteristic impedance

standing wave

operating temperature

Size

Power

DC~18GHz

50±1Ω

≤1.2

-55~125℃

15.8*5*0.4

1



Tabelle 4 Abschwächungsgenauigkeit

Attenuation

Working frequency

Attenuation accuracy

1~10dB

20dB

30dB

40dB

50dB

60dB

DC~18GHz

±0.3dB

±0.5dB

±0.5dB

±0.7dB

±1dB

±1dB


Die Dämpfung kann je nach Kundenwunsch angepasst werden.
  • Typische Produkterscheinungszeichnung
typical-product-appearance-drawing-2

1.5 Koaxialabschwächer
  • Übersicht
Die Hauptindikatoren dieser Reihe von koaxialen festen Dämpfungsgliedern beziehen sich auf die bw-s1w2 + -Serie der Firma MINI. Mit einer Frequenz DC ~ 18GHz und einer maximalen Eingangsleistung von 2W hat es die folgenden Eigenschaften: breites Arbeitsfrequenzband, niedriges stehendes Wellenverhältnis, flache Dämpfung, starker Impulswiderstand und Brennwiderstand.
  • Schematischer Schaltplan
schematic-circuit-diagram
  • Die wichtigsten technischen Indizes
Tabelle 5 Die wichtigsten technischen Indizes (Eine Fallstudie von 1 dB)

the-key-technical-indexes

Tabelle 6 Typischer Parameter
table-6-typical-parameter

Nach dem Testen und Vergleichen ist der Dämpfungsgenauigkeitsindex dieser Dämpfungsgliedserie ähnlich dem der Produkte der MINI-Firma, und das Stehwellenverhältnis ist besser als die Produkte der MINI-Firma.
  • Größe
table-6-typical-size
  • Typische Produkterscheinungszeichnung
typical-product-appearance-drawing-3


Bm-w2c1, bm-w2c2, bm-w2c3, bm-w2c4, bm-w2c5, bm-w2c6, bm-w2c7, bm-w2c8, bm-w2c9 und bm-w2c10 werden jeweils entsprechend der Leistung und Dämpfung benannt.

1.6 Die Designanleitung
Auswahl von keramischen Substraten
Tabelle 7 Auswahl der Hauptparameter des Keramiksubstrats

Substrate parameters

Influence

Instructions

Thickness

upper frequency limit

Different frequency choose different thickness

minimum-value aperture

50um

Dielectric constant

line width

It depends on the device performance

Surface roughness

Width of thinnest line

line width: 10um

Dissipation factor

Insertion loss

General requirements loss is less than 0.0005

Thermal conductivity

Power dissipation

Aluminum nitride/beryllium oxide for high power applications


Regeln für das Design von Dünnschichtschaltungen
Tabelle 8 Gemeinsame Referenzindikatoren für Designregeln für Dünnschichtschaltungen

project

meaning

Typical values

Special requirements

Size of substrates and chips

2 inches substrates,Usable area

46×46

48×48

Toleranceof substrate thickness

±0.050mm

±0.020mm

Toleranceof chips size

±0.050mm

(+0,-0.050mm)

Scribing and its accuracy

Number of available cutting

0.15mm,0.20mm

0.10mm

cutting accuracy

±0.050mm


The conduction band

Minimum line width

0.018mm

0.010mm

The smallest seam width

0.018mm

0.010mm

A typical distance from the edge of the chip

0.050mm

0.000mm

The line drawing of special guide should be narrower than the designed size

0.004mm


resistance

Minimum line width

0.050mm

0.008mm

Minimum line length

0.050mm


Minimum blank distance between the resistance edge and the conductor

0.025mm

0.000mm

Minimum contact distance between resistance and conductor

0.050mm


The minimum distance of the resistance film from the chip edge

0.050mm


Metal hole

The smallest aperture

50um


The minimum distance from the edge of the hole to the edge of the figure

80um


Minimum spacing

100um


The minimum distance from the hole center to the edge of the chip

75um



2 Miniaturisierungsprodukte für Radiofrequenzkanäle
Die Miniaturisierungstechnologie der Mikrowellenhybrid-integrierten Schaltung in der Dünnschichtabteilung konzentriert sich auf das lokale Schaltungsdesign, Modularisierung, Miniaturisierung, strukturelle Verpackung, Verbesserung der Konsistenz und Zuverlässigkeit. Die originalen HF-Kanal-Produkte werden durch die Dünnschicht-Technologie miniaturisiert, dh einige Schaltungen im HF-Kanal werden durch die Dünnfilm-Technologie, die in dem abschirmenden Metallgehäuse luftdicht gekapselt ist, mit höherer Präzision und besserer Zuverlässigkeit bearbeitet gute Wärmeableitung durch das hochdichte Montageverfahren.

Das Folgende ist ein Beispiel eines I-Band-Funkfrequenzkanals und seiner Miniaturisierungstechnologie. Diese Art von Produktindex ist eng mit Antennenindex-, Datenverarbeitungs- und anderen Systemanforderungen verbunden und entwickelt sich hauptsächlich in Zusammenarbeit mit Benutzern.

2.1 Technisches Merkmal
Rf-Kanal-Schaltplan
radio-frequency-channel-miniaturization-products
HF-Antennen-Array ist in GNSS-Kanal und XXX-Kanal unterteilt. Der GNSS-Kanal ist ein einzelner Kanal, der mit bestehenden ausgereiften Schaltungen entworfen wurde. Der HF-Kanal von XXX besteht hauptsächlich aus Filter, rauscharmem Verstärker, Up-Down-Konverter, Verstärker, Taktmodul, Frequenzquelle und DC_DC-Stromversorgung.

Radiofrequenz (RF) -Kanal zu Kanal Phasenkonsistenz, Konsistenz, Isolation, Phasenstabilität der Verstärkung haben höhere Anforderungen, so die Miniaturisierung der Dünnschicht-Hybrid-integrierten Prozess auf, wie zu senden und zu empfangen Passage, jeder Kanal durch Verkapselung Struktur konsistente Trennkammer, die Kanal-Modul bzw. komplette HF-Signalverstärkung und Frequenzumwandlung und andere Funktionen, um die hohe Nachfrage zu erreichen.
Tabelle 9 Elektrische Eigenschaften des Funkfrequenzkanals

characteristics

symbol

Conditions

RF input frequency:xxxx.5MHz±10MHz;

RF input power:-130dBm~-40dBm

LO input frequency:xxxx MHz;

LO input power:0dBm

Limit value

Unit

Min

Max

Channel gain

G


45

55

dB

Gain consistency

ΔG


-

2

dB

Image rejection

S1


65

-

dBc

Harmonic suppression

H1


65

-

dBc

Working current

I


0.35

0.4

A

Noise Figure

NF



2.5


RF port standing wave ratio

VSWR


-

2

-

Phase consistency

ΔPh

TA=25℃

-5

5



2.2 Radiofrequenzkanal-Miniaturisierungstechnologie
radio-frequency-channel-miniaturization-technology-1

radio-frequency-channel-miniaturization-technology-2
  • Auswahl der Komponenten
Rohchip- oder Mikromarker-verkapselte Komponenten werden für eine Hybridintegration ausgewählt, um den Integrationsgrad zu verbessern und die Schaltungsfläche effektiv zu reduzieren.
  • Herstellung von Dünnschichtsubstraten
Die Umweltanforderungen für Radiofrequenzkanäle sind relativ hoch und die Basisplatte ist erforderlich, um die Dielektrizitätskonstante sicherzustellen, während sie eine höhere Wärmeleitfähigkeit aufweist. Die Materialauswahl und -herstellung wird untersucht, um die praktischen Anforderungen zu erfüllen.

(1) Substratauswahl
Normalerweise wird Aluminiumoxid (AL 2 O 3) für das Substrat ausgewählt, das die Vorteile einer großen Dielektrizitätskonstante, eines geringen dielektrischen Verlusts, eines hohen Isolationswiderstands, einer hohen mechanischen Festigkeit und nahe dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Gehäusehülle aufweist. Aluminiumnitrid (ALN) ist bevorzugt auf der Basisplatte der Leistungsvorrichtung mit der Dielektrizitätskonstante von 8,7 und der Wärmeleitfähigkeit von 200 W / m · K. Keramische Substrate haben viele ausgezeichnete Eigenschaften, und sie spielen eine wichtigere Rolle als PCB auf dem Gebiet der Mikrowellenkommunikation. Mit hoher Dielektrizitätskonstante des Dünnfilmsubstrats kann das gleiche elektrische Längenwellenlängensignal in der Medienplattenlänge und -breite des Widerstandsdämpfungsnetzwerkes auch direkt auf Dünnfilmsubstrat erzeugt werden, wodurch die Fläche der ursprünglichen Schaltung stark reduziert und verbessert wird Die Genauigkeit der Dämpfung zur gleichen Zeit, das vorhandene Modul in, Konsistenz, Zuverlässigkeit, Wartbarkeit, Skalierbarkeit, etc., haben bestimmte aufsteigen.

(2) Auswahl von leitfähigen Metallmaterialien
Teile des HF-Kanals müssen durch einen Schweißprozess zusammengebaut werden. Das Metall auf dem Substrat muss eine gute Schweißbarkeit, Schweißbarkeit und Widerstand und einen großen Strom aufweisen, um Schweißfestigkeit und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Außerdem hat die Radiofrequenzschaltung Anforderungen an die Bandimpedanz und die Hauttiefe des Radiofrequenzsignals, so dass sie die Methode der Vergoldung der Mikrostreifenleitung annimmt, um die Anforderungen des Radiofrequenzsignals zu erfüllen.

(3) Draht- und Durchgangslochdesign
Der Schlüssel zu hoher Leistung und Wiederholbarkeit in Mikrowellenstrukturen wird durch die Geometrie des Metalls bestimmt und die charakteristische Impedanz der Übertragungsleitung wird durch die Breite der Leitung bestimmt. Der gesamte HF-Kanal hat ein kleines Volumen, eine hohe Verdrahtungsdichte und eine kleine Drahtbreite, so dass die Präzisionsanforderungen sehr hoch sind. Metallisierte Durchgangslöcher werden üblicherweise verwendet, um Hochfrequenzsignale mit verkapselten Bereichen zu verbinden, die eine bessere mechanische Festigkeit und eine niedrigere elektrische Impedanz erfordern.

fig-9
ABB 9

fig-10
BILD 10

  • Mikro-Montagetechnik
micro-assembly-technique
Das einkanalige Modul verwendet eine Schweißtechnologie, um das Substrat innerhalb des Hohlraums zu verschweißen, um eine gute Erdung sicherzustellen. Die Eingangs- und Ausgangsschnittstellen wie RF, TLO, VKE, IF, + VCC und -vcc sind jeweils mit der Antenne und dem Substrat auf Systemebene verbunden.

Mit Blick auf die Schaltungsleistung und Zuverlässigkeit werden die Verbindungsprozeßparameter, wie z. B. eine hohe Konsistenz und eine hohe Zuverlässigkeit der Verbindung von HF-Kanalschaltungen, gesteuert. Unter Verwendung des elektromagnetischen Modells werden die Parameter in eine äquivalente Schaltung umgewandelt, die an der Simulationsanalyse der gesamten Schaltung beteiligt ist und Design und Test leitet.

  • Mikrowellenverkapselungstechnologie
Das Verpacken von Mikrowellenschaltungen erfordert die folgenden vier grundlegenden Funktionen: mechanische Unterstützung und Umweltschutz, Spannungs- und Strompfad, Funkfrequenzkanalsignal, Steuersignaleingangs- und -ausgangspfad und Wärmeableitungspfad.
In Anbetracht der Übereinstimmung des Wärmeausdehnungskoeffizienten des Materials sollte das Verpackungsmaterial eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisen. Die Grundanforderungen an Verpackungsmaterialien sind ein hoher Elastizitätsmodul, ein niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient, ein gutes Finish und eine gute Ebenheit.
Die Montagedichte von HF-Kanal-Komponenten ist sehr hoch, was zu einer hohen Wärme pro Flächeneinheit führt. Obwohl viele der Mikrowellengeräte Abschnitt Temperatur 170 ℃ oben erreichen können, aber unsachgemäße Auswahl des Verpackungsmaterials, können Heizkomponenten Arbeit nicht schnell exportieren, Komponenten innerhalb und außerhalb des Temperaturgefälles zu groß ist, in der internen zu heiß oder zu heiß gebildet , verschlechtern die Leistung der Komponenten oder aufgrund der großen thermischen Belastung Schaden und machen die Schaltungsstruktur.
ECRIM beschäftigt sich seit langem mit der Erforschung und Entwicklung von Metallgehäusen. Sie haben die größte Produktionslinie für militärische Metallverpackungen in China und verfügen über reiche Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von Metallgehäusen. Es hat die Produktionsanlagen und technischen Fähigkeiten in Bezug auf die Shell-Design, mechanische Bearbeitung, Glasperlen Vorbereitung, Luftdichtheit Abdichtung, Löten, Galvanisieren, Zuverlässigkeitstest und so weiter, die zuverlässige Garantie für das Design der Radio-Frequenz-Kanal-Struktur bietet. 11 ist ein dreidimensionales Strukturdiagramm der Ku-Band-Radiofrequenzkomponentenstruktur, die für ein Projekt entworfen wurde.
Das RF-Kanal-Modul-Paket wurde entwickelt, um eine luftdichte Verpackungstechnologie zu verwenden, die darauf abzielt, die Umwelt zu isolieren, die Erosion von Schadstoffen zu verhindern und die internen Geräte an niedrigen Druck und andere Arbeitsbedingungen anzupassen. Gleichzeitig erfüllen Sie die Anforderungen an die elektromagnetische Verträglichkeit, wie z. B. Abschirmung.

fig-11
BILD 11

fig-12
ABB 12

3Andere Mikrowellen-Schaltkreise
3.1 Mikrowellenleistungsverstärker
Als Endstufe des Senders verstärkt der Leistungsverstärker das modulierte Frequenzbandsignal auf die erforderliche Leistung, wodurch sichergestellt wird, dass ausreichende Pegelsignale innerhalb des Abdeckungsbereichs empfangen werden können. Unter Verwendung des x-Band-Impulsverstärkers und des S-Band-Dauerstrichverstärkers, die durch 43 als Beispiele (Fig. 12) entwickelt wurden, werden der Hauptprozeßpegel und der Indexpegel des Produkts beschrieben. Mikrowellenverstärker können separat vorgeschlagen Indikatoren, unabhängige modulare Bauweise, können wir Benutzerindikatoren basierend auf dem Design und Fertigungspaket zur Verfügung stellen.
Nach dem Dünnschichtprozess (die fertigen Teile übernehmen nackte Chips) wird das Volumen stark reduziert, zum Beispiel kann das Volumen von 20 x 35 x 10 mm3 auf 10 x 20 x 10 mm3 geändert werden.
Tabelle 10. Elektrische Eigenschaften des x-Band-Pulsleistungsverstärkers

characteristics

symbol

Condition

Operating frequency range:f= x.1GHz±0.5 GHz;

The input power:7dBm;Work pulse width:1mS

Limit value

Unit

Min

Max

Output power

Pout


33

-

dBm

duty cycle



-

25%




Tabelle 11 S-Band-Dauerstrich-Leistungsverstärker Elektrische Eigenschaften

characteristics

symbol

Condition

Operating frequency range:f= x.2GHz±0.1 GHz;The input power:10±2dBm

Limit value

Unit

Min

Max

Output power

Pout


37

-

dBm

Gain flatness

ΔG


-

2

dB

Harmonic suppression

H1


65

-

dBc

spurious suppression

S1-1


65

-

dBc

Working current

I


-

2.0

A



3.2 rauscharmer Verstärker
Low-Noise-Verstärker kann angepasst werden, um die Bedürfnisse der Benutzer zu erfüllen, Bereitstellung von Schneiden Metallgehäuse fertigen Module, Schraubbefestigung. Die Größe der rauscharmen Verstärker B1, B2 und B3 beträgt etwa 15 mm x 15 mm ohne Filter.
Tabelle 12 technische Indikatoren

features

Limit value

Unit

Min

Max

gain

26

30

dB

Noise factor (room temperature)

0.8

1.2

dB

Port a standing wave

1

2


Working current

60

m



4 Eigenschaften von Mikrowellenprodukten mit Dünnschichttechnologie

4.1 Hohe Zuverlässigkeit
Aufgrund der Einführung der Dünnfilmtechnologie wurde eine große Anzahl von Widerstandsvorrichtungen in der ursprünglichen Schaltung direkt auf dem Substrat erzeugt, was die Anzahl der geschweißten Komponenten reduzierte und die Abschwächungsgenauigkeit verbesserte. Da gleichzeitig die Grundplatte des Kanalmoduls direkt an den Hohlraum geschweißt wird, werden mechanische Unterstützung und Umweltschutz verstärkt, die Leistung der Hochfrequenz-Erdung wird erheblich verbessert und der Zuverlässigkeitsindex des Moduls wird umfassend verbessert ist geeignet für die Massenproduktion. Produktion in der nationalen Armee Standard-Produktionslinie, die Qualität von G, H oben.

4.2 Starke Bedienbarkeit
Modulares Design wird angenommen, und das Kanalmodul und das Substrat auf Systemebene können für einen Assemblierungstest getrennt werden, was die Testeffizienz verbessert. Aufgrund der effektiven Zerlegung der Testindikatoren kann der Produktionstest gleichzeitig in unabhängige Gruppen zerlegt werden.

4.3 Gute Anti-Interferenz
Aufgrund des modularen Aufbaus ist das Kanalmodul in einem geschlossenen unabhängigen Hohlraum vollständig geschlossen, was sich von dem ursprünglichen mehrschichtigen plus Hohlraumlayout unterscheidet. Daher kann es das Übersprechen von Mikrowellensignalen und Stromversorgungssignalen von anderen Kanälen besser abschirmen.

4.4 Kleines Volumen
Nach der Miniaturisierung wird die Fläche der Komponente um 1/3 auf 1/2 reduziert und die Form der Schnittstelle ist prägnanter. Die Signalübertragung zwischen jedem Modul der gesamten Maschine kann nur durch direktes Einstecken und Herausziehen des gemischten Kabels realisiert werden. Hier sind zwei Beispiele für miniaturisierte Produkte.


Dünnschicht-photoelektrische Produkte
1 Dünnschichts photoelektrisches Substrat
  • Überblick
Photoelektrische Dünnfilmsubstrate werden hauptsächlich auf dem Gebiet der optischen Kommunikation verwendet. Das Substratmaterial ist meist Aluminiumnitrid-Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit (über 170). Die Dicke des Substrats liegt zwischen 0,127 und 2 mm. Die mehrschichtige Metallstruktur wird üblicherweise als TiPtAu-Membransystem verwendet.
  • Hauptindikatoren

The fine line

20μm

Line precision

≤ ±5μm

Hole resistance

≤50 mΩ

Size

≤ ±50μm

Special cutting accuracy

≤ ±50μm


Hinweis: Produktqualität entspricht den Anforderungen von MIL-PRF-38534


ABB 16

2 Pin-Fet-Lichtleiterdetektor
2.1 Überblick
Der Pin-Fet-Lichtleitfaserdetektor ist eine Art optoelektronisches Bauelement, das einen photoelektrischen Detektorchip und eine rauscharme Verstärkerschaltung in derselben Hülle einkapselt. Ein Lichtsignal wird auf die lichtempfindliche Oberfläche des Detektors gestrahlt. Die photoelektrische Diode erzeugt einen Photostromeingang zur rauscharmen Verstärkerschaltung. Die rauscharme Verstärkerschaltung wandelt das schwache Stromsignal in ein Spannungssignal um und verstärkt dann die Ausgabe.

2. 2 Produkteigenschaften
Hohe Zuverlässigkeit, hohe Empfindlichkeit, großer Dynamikbereich

2.3 Anwendungsbereich
Lichtwellenleiter-Übertragungssystem, Lichtwellenleiter-Kreisel, Schaffung platziert groß, Faseroptik-Sensor

2.4 Schaltungsmodell
Das Schaltungsmodell ist wie folgt:
HPF XXXX X
hpf-xxxx--x

2.5 Verschiedene Paketgrößen und Fotos

type

Type A packaging

TypeB packaging

TypeC packaging

TypeD packaging

category

Metal 14 feet

Metal8 feet

Ceramic 8 feet

size

20.8 mm x12.7 mm x4.67 mm

13.5 mm x12.7 mm x4.67 mm

12.7mm x7.9mmx5.3mm




photo

The leg defines the contrast

WTD, 44 institute, worldcom, podan photoelectric

Tong wei tong, pu Dan photoelectricity

Metal 8 pin

Same as WTD



Der üblicherweise verwendete Kreuzwiderstand beträgt 40K, 200K und 400K. Produkte mit unterschiedlichen Querwiderstands-, Bandbreiten-, Ausgangsspannungs- und Endstückfaseranforderungen können gemäß den Anforderungen der Benutzer entworfen werden.

2.6 Leistungsindikatoren (Pakete A, B, C, D)
Bestwertung

ParametersSymbolMaximum rating Unit

positive-supplyVcc      +5.5         V

Negative supplyVee      -5.5          V

Operating temperatureTamb     -55~+85     ℃

Storage temperatureTstg      -55~+85    ℃


Empfohlene Arbeitsbedingungen

Parameters  Symbol  Maximum rating Unit

positive-supplyVcc        +5      V

Negative supplyVee        -5      V


Photoelektrische Eigenschaften
Vcc = +5 V, Vss = -5 V
performance-indicators-specification-1
performance-indicators-specification-2



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5. Vertikale Integrationsfähigkeit von Rohmaterial, Komponenten, Geräten, Modulen, Geräten bis zur Systemintegration.
6. Konkurrenzfähiger Preis
7. Flexible Lieferung, kurze Vorlaufzeit
8. Schnelle Antwort.
9. Design des Kunden verfügbar.